在压力下发现KV3Sb5薄片中的新阶段

Zheyu Wang1, Lingfei Wang1, King Yau Yip1

  • 1Department of Physics, The Chinese University of Hong Kong, Shatin, Hong Kong, China.

概括

研究人员在压力下的KV3Sb5薄片中发现了一个新的相位边界,T*(p). 这一发现丰富了复杂的温度-压力相位图,揭示了对材料电子性质的新见解.