对V-NAND闪存结构的热结构分析的建模方法
Yongha Kim1, Seungjun Ryu2, Sungryung Lee2
1School of Mechanical Engineering, Chungnam National University, Daejeon, 34134, Republic of Korea. yongha_kim@cnu.ac.kr.
一种新的建模方法简化了V-NAND闪存的热电结构分析,考虑了朱尔加热效应. 这种方法增强了V-NAND闪存集成,并为未来的半导体设计创造了一个有价值的数据库.
科学领域:
- 半导体物理 半导体物理
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 计算工程 计算工程 计算工程
背景情况:
- V-NAND闪存结构容易受到来自朱尔加热的热应激.
- 精确的热电结构分析对于优化V-NAND设备性能和可靠性至关重要.
- 现有的建模方法可能缺乏复杂半导体分析所需的效率和简单性.
研究的目的:
- 为V-NAND闪存的热电结构分析提出一种新的,计算效率高的建模方法.
- 在朱尔加热下研究V-NAND结构的热力学特性.
- 使用开发的建模方法优化V-NAND闪存集成.
主要方法:
- 基于能量平衡和瓦特定律的连续,均的建模方法的开发.
- 使用位移函数来制定热电结构行为规律方程.
- 通过3D有限元分析和参数研究进行验证.
- 使用响应表面方法的优化,将故障指数作为响应函数.
主要成果:
- 拟议的建模方法准确地预测了V-NAND结构中的热电结构行为.
- 参数分析揭示了影响V-NAND性能的关键热力学特性.
- 优化显著提高了V-NAND闪存集成潜力.
- 创建了一个V-NAND热力学特征的综合数据库.
结论:
- 开发的建模方法为V-NAND分析提供了一个简单而计算高效的工具.
- 这些发现有助于设计和优化下一代半导体设备.
- 生成的数据库支持V-NAND闪存技术的进一步进步.
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