预测者永久的节拍器需求在主动脉狭窄的患者进行自我扩张透导管主动脉的替换,使用尖端重叠技术
Yung-Tsai Lee1,2, Tien-Ping Tsao1,3, Kuo-Chen Lee1
1Heart Center, Cheng Hsin General Hospital, Taipei, Taiwan.
Frontiers in cardiovascular medicine
|March 5, 2025
概括
光学尖端重叠 (COL) 技术在自扩展 (SEV) 跨导管大动脉置换 (TAVR) 后显著减少导电干扰. 谨慎的植入深度可以最大限度地降低新的左捆分支阻塞和永久性起器植入的风险.
科学领域:
- 心脏病学 心脏病学
- 干预心脏病学 干预心脏病学
- 心脏外科手术 心脏外科手术
背景情况:
- 越来越多地用于低风险的大动脉狭窄症 (AS) 患者的跨导管大动脉置换 (TAVR).
- 管理TAVR后传导障碍,特别是自扩展 (SEV),是一个日益严重的临床挑战.
研究的目的:
- 评估光学尖端重叠 (COL) 技术在减少SEV TAVR后传导干扰方面的有效性.
- 为了确定与导电障碍和永久心脏起器植入 (PPI) 相关的风险因素,SEV后TAVR.
主要方法:
- 在2019-2022年期间接受SEV TAVR的114名AS患者的回顾性分析.
- 患者被分为传统 (CON) 和 COL 技术组.
- 结果使用门学术研究联盟 (VARC) -2标准进行评估,重点关注新左捆分支区块 (LBBB) 和PPI.
主要成果:
- 与CON组 (n=50) 相比,COL技术组 (n=47) 的新LBBB (27.7%对46%,p=0.006) 和PPI (4.3%对18%,p=0.033) 的发生率明显较低.
- 在非冠状动脉尖端 (NCC) 和左冠状动脉尖端 (LCC) 下更深的植入与增加的导电干扰相关.
- 多变量分析确定了较小的LVOT直径,较短的膜隔膜长度和更大的预释LCC植入深度作为PPI预测因素.
结论:
- 在SEV TAVR之后,COL技术有效地减少了新的导电干扰和PPI.
- 优化SEV植入深度,特别是释放前LCC以下<6mm和膜隔膜长度在1mm以内,进一步减轻PPI风险.
