ZrN核化层为MBE培养的GaN纳米线提供了背面的欧姆接触

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 纳米技术 纳米技术
• 半导体物理 半导体物理

背景情况:

• 化 (GaN) 纳米线对于发光设备至关重要.
• 具有标准核化层的 (Si) 基板可以吸收产生的光,降低设备效率.
• 有效的GaN纳米线设备需要导电和光学不透明的核化层.

研究的目的:

• 研究化 (ZrN) 作为GaN纳米线生长的核化层.
• 评估ZrN与n型GaN纳米线的电接触特性.
• 为了证明在GaN纳米线基设备中使用ZrN核化层的可行性.

主要方法:

• 在ZrN核化层上增长的GaN纳米线的分子束表 (MBE) 在蓝宝石基板上喷射的ZrN核化层.
• 在扫描电子显微镜 (SEM) 中使用纳米操纵器对单个GaN纳米线的电流-电压 (I-V) 描述.
• 单个GaN纳米线p-n连接装置的制造和测试.

主要成果:

• ZrN核化层使GaN纳米线的密集,垂直阵列的生长成为可能.
• ZrN证明了对n型GaN纳米线的欧姆接触,由I-V测量证实.
• 单个GaN纳米线p-n连接显示了高度整正的特性,验证了该概念.

结论:

• 在蓝宝石上,ZrN是适合GaN纳米线生长的核化层.
• 由ZrN提供的欧姆接触对于高效的发光器件应用至关重要.
• 单个纳米线测量,尽管有局限性,提供了对设备性能有价值的见解.