一个64 × 64 GaN微型LED单立体显示阵列:制造和光交叉声分析

科学领域:

• 光电学是指光电子产品.
• 材料科学 材料科学 材料科学
• 纳米技术纳米技术

背景情况:

• 单立体微型LED显示阵列对于增强现实 (AR) 设备来说是有前途的.
• 邻近的微型LED之间的光学交叉声会由于像素距离较短而减少显示的定义.
• 现有的微型LED制造方法需要优化以减轻交叉通话.

研究的目的:

• 为了制造一个单体的64x64化 (GaN) 微型LED显示阵列.
• 为了抑制相邻的微型LED之间的光学交叉声.
• 为了提高微型LED阵列的显示定义.

主要方法:

• 在基于的驱动电路上制造64x64 GaN微型LED阵列 (20 μm x 20 μm像素,28 μm距离).
• 使用聚焦离子束 (FIB) 在微型LED蓝宝石基板上蚀刻光子晶体结构.
• 使用近场电光发射 (EL) 测量和有限元法 (FEM) 计算进行分析.

主要成果:

• 成功制造了一个单体的GaN微型LED显示阵列.
• 使用雕刻的光子晶体有效抑制光学交叉声.
• 通过EL和FEM,通过更薄的基板在光子晶体微LED内确认光膨胀的限制.

结论:

• 光子晶体结构有效地控制单体微型LED阵列中的光学交叉声.
• 开发的制造技术为高清微型LED显示器提供了可行的解决方案.
• 这项工作为未来的微型LED显示器进步提供了宝贵的见解,特别是在AR应用中.