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Updated: May 24, 2025
08:21
Laser-induced Forward Transfer for Flip-chip Packaging of Single Dies
Published on: March 20, 2015
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在蓝宝石晶圆上通过超快激光诱导的向后转移进行压力控制的图案
Yifan Hu1, Luchan Lin1, Junde Ji1
1Shanghai Key Laboratory of Materials Laser Processing and Modification, School of Materials Science and Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200240, China.
Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids
|March 6, 2025
概括
使用超快速激光传输的在蓝宝石 (SOS) 上的应变工程提高了晶体性和载体流动性. 这种方法可以产生稳定,抗拉的,显著提高电子设备的性能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体物理 半导体物理
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 蓝宝石上的 (SOS) 是电子设备的关键异构结构.
- 在绝缘基板上实现高质量,应力仍然是一个挑战.
- 控制应变是提高半导体性能的关键.
研究的目的:
- 开发一种新的方法,用于在蓝宝石上的有图案的中进行应变工程.
- 研究拉伸应变对晶性和载体流动性的影响.
- 为了评估在热应力下在蓝宝石 (SOS) 上应变的稳定性.
主要方法:
- 使用超快激光诱导的向后传输与调制的空间受限等离子体.
- 在-蓝宝石接口上产生高能激光消光的等离子体.
- 控制发生激光功率来调整中诱导的拉伸应变.
主要成果:
- 形成一个过渡SiO2层,阻碍热传递和改善晶度.
- 在中诱导稳定的拉伸应变,用激光功率从0.265%增加到0.354%.
- 在应力SOS (3.2倍增强) 中达到465cm2V-1s-1的峰值载体移动性,在回火后保持>85%.
结论:
- 超快激光诱导的反向转移是一种有效的应变工程技术SOS.
- 拉伸式SOS表现出显著增强的载体移动性和热稳定性.
- 开发的紧张SOS结构对高性能电子和光电子设备具有很大的前景.
