植入芯片设备的I型干扰素暴露会改变侵入性外性热囊细胞功能
Michael K Simoni1, Seble G Negatu2, Ju Young Park3
1Department of Obstetrics and Gynecology, Hospital at the University of Pennsylvania, Philadelphia, PA 19104, USA.
Cell reports. Medicine
|March 7, 2025
概括
过度的I型干扰素 (IFN) 信号损害了胚胎植入,减少了 trofhoblast 侵袭和血管重塑. 这种功能障碍可能会导致孕前的发展.
科学领域:
- 生殖生物学 生殖生物学
- 免疫学 免疫学 免疫学
- 发育生物学是发展生物学.
背景情况:
- I型干扰素 (IFN) 信号传输对于成功怀孕至关重要.
- 失调的IFN信号传递与怀孕的不良结果有关.
研究的目的:
- 通过器官芯片模型,研究I型IFN在人类胚胎植入上升的影响.
- 阐明I型IFN通过哪些机制影响外性热囊细胞 (EVT) 功能.
主要方法:
- 使用了一个人体植入器官在芯片上的装置.
- 分析了EVT的单细胞转录组.
- 评估了EVT入侵和内皮细胞血管改造.
主要成果:
- 高度的I型IFN暴露降低了EVT的入侵能力.
- IFN损害了EVT上皮细胞到介质细胞的过渡,阻碍了侵入性EVT的出现.
- 经IFN刺激的EVT显示出与孕前相关的基因的表达增加.
- 观察到减少了EVT介导的血管改造.
结论:
- 不合理的I型IFN信号在植入过程中破坏了EVT的正常功能.
- 这些干扰,特别是受损的EVT入侵和血管重塑,可能会导致孕前的发病.
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