III-N CMOS 2D

Gyuhyung Lee1, Youngtek Oh2, Junsik Hwang2

  • 1Department of Intelligent Semiconductor, Soongsil University, Seoul, 06938, South Korea.

概括

本研究介绍了超越CMOS扩展的可扩展范德瓦尔斯 (vdW) 集成,使用流体辅助自我调整转移 (FAST) 来与CMOS集成III-N设备和2D材料. 这一突破使先进的半导体功能能够超越当前的物理限制.