MOS Capacitor
MOSFET
Metal-Semiconductor Junctions
MOSFET: Enhancement Mode
Characteristics of MOSFET
Design Example: Resistive Touchscreen
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通过共同作者、期刊和引用图与本文相关的文章。
Yuan Fa1,2, Agata Piacentini1,2, Bart Macco3
1AMO GmbH, Advanced Microelectronic Center Aachen, Otto-Blumenthal-Str. 25, 52074 Aachen, Germany.
反向喷射通过形成导电性1T-MoS2.2,显著降低了二硫化场效应晶体管 (MoS2-FET) 的接触电阻. 这提高了晶体管的性能,为先进的二维材料电子铺平了道路.
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