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Updated: May 23, 2025

Nanofabrication of Gate-defined GaAs/AlGaAs Lateral Quantum Dots
Published on: November 1, 2013
So Eun Choi1, MiYoung Jang1, SoHee Yoon1
1AI Center, Samsung Electronics, Suwon-si 16678, Republic of Korea.
大型语言模型 (LLM) 通过优化量子点合成来加速材料科学. 这个框架生成和验证了新的合成协议,改善了材料特性,并证明了有效的多目标优化.
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主要成果:
结论: