在β-Ga2O3/4H-SiC异质连接中通过Kr离子辐射进行缺陷工程,以提高太阳盲光探测器性能
Yongtao Yang1, Yang Zhang1,2, Xiaotong Ma1
1State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications & School of Science, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876, China.
ACS applied materials & interfaces
|March 19, 2025
概括
高能离子对β-Ga2O3/4H-SiC异构的辐射产生了缺陷,提高了设备的响应性. 这项研究有助于开发适用于极端环境的耐辐射光电子设备.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体物理 半导体物理
- 辐射的影响 辐射效应
背景情况:
- β-Ga2O3/4H-SiC异构结构对功率电子有希望.
- 了解辐射效应对于极端环境中的设备可靠性至关重要.
研究的目的:
- 研究1302 MeV离子辐射对β-Ga2O3/4H-SiC异构结构的影响.
- 分析辐射诱导的缺陷形成及其对光电子性能和设备性能的影响.
主要方法:
- X射线光电子光谱 (XPS) 用于元素和化学状态分析.
- 用X射线衍射 (XRD) 来进行结构特征.
- 光发光 (PL) 和电流电压 (I-V) 测量以评估光学和电气性能.
主要成果:
- 辐射诱导了显著的空缺 (V Ga),氧空缺 (V O) 和V Ga-V O 对.
- 光发光强度增强,而暗电流和光电流显示复合和泄漏通道增加.
- 与对照样本 (21.70 A/W) 相比,照射样本显示反应能力大幅增加 (288.20 A/W).
结论:
- 克隆离子辐射显著改变β-Ga2O3/4H-SiC异构结构的结构和光电子特性.
- 缺陷形成,特别是空缺,在修改设备性能方面发挥着关键作用.
- 结果为设计用于太空和核环境中的应用的耐辐射光电子设备提供了洞察力.
关键词:
1302 MeV 克隆离子不同结构的异构结构.辐射辐射辐射的辐射.太阳盲光探测器的光检测器β-Ga2O3/4H-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiH-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiSiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-SiC-C-H-C-C-C-C-C-H-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C-C- is what is what is what is what is what is what is what is what is what is what is what is what is what is what is what is
