使用协同作用的原子层沉积和蚀刻进行超薄膜的先进制造
Jeongbin Lee1, Jung-Tae Kim1, Jieun Oh1
1Department of Materials Science and Chemical Engineering, BK21 FOUR ERICA-ACE Center, 55 Hanyangdeahak-ro, Sangnok-gu, Ansan, Gyeonggi, 15588, Republic of Korea.
Small methods
|March 21, 2025
概括
研究人员开发了一种新的原子层蚀刻和沉积 (ALD/ALE) 方法,以创建超薄,光滑的 (Ru) 薄膜在3nm以下. 这种技术精确地控制了表面粗度和覆盖率,这对于先进的电子设备至关重要.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 表面化学 表面化学
背景情况:
- 对表面粗度和覆盖的精确控制对于制造先进的金属薄膜至关重要.
- 使用添加和减去原子层过程进行原子级表面准备对于高度选择性和活跃的工艺变化至关重要.
研究的目的:
- 用于制造厚度低于3 nm的超薄,光滑的 (Ru) 薄膜.
- 研究原子层沉积 (ALD) 和原子层蚀刻 (ALE) 的协同组合,以使表面光滑.
- 为了证明对电子设备应用的安格斯特罗姆级表面性能的精确控制.
主要方法:
- 使用原子层沉积 (ALD) 和原子层蚀刻 (ALE) 技术的协同组合制造Ru薄膜.
- 使用 (乙基) ((1-乙基-1,4-环) ) 前体和O2气体进行Ru沉积的ALD过程.
- ALE工艺利用2,4-二和O2激素进行表面光滑和减少厚度.
主要成果:
- 成功制造了厚度降低到3nm以下的超薄Ru薄膜.
- 使用ALD/ALE联合工艺,证明有效地平滑表面,同时保持表面覆盖面.
- 实现了近乎完整的表面覆盖,直至大约1nm尺度,厚度和度降低.
结论:
- 联合ALD/ALE工艺为生产超薄,原子平面的Ru薄膜提供了一种新的方法.
- 这种方法可以精确控制表面特性,这对于下一代电子设备的开发至关重要.
- 展示的技术有效地降低了薄膜厚度和表面粗度,同时保持了高表面覆盖率.
