晶体1D协调聚合物抑制层导致纳米尺度模式上选择性沉积ZnO的垂直侧墙
Alexander Shearer1, Yukio Cho1,2, Miso Kim3
1Department of Chemical Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, United States.
ACS nano
|March 21, 2025
概括
乙醇 (BT) 有效地抑制铜表面的氧化 (ZnO) 原子层沉积 (ALD). BT形成可调节的多层,防止材料在没有图案的区域上生长,用于精确的纳米电子制造.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 表面化学 表面化学
背景情况:
- 区域选择性原子层沉积 (AS-ALD) 对先进的纳米电子学至关重要.
- 关键的挑战包括实现高沉积选择性和防止在非生长区域的物质"".
研究的目的:
- 为了研究乙醇 (BT) 作为一种抑制剂选择性ZnO沉积SiO2在存在的铜.
- 描述BT抑制剂层及其在预防ZnO ALD方面的有效性.
主要方法:
- 牧场发射率X射线衍射 (GIXD) 与模拟.
- 圆测量和X射线光电子谱学 (XPS).
- 在有图案的基板上沉积ZnO的原子层沉积 (ALD).
主要成果:
- 在Cu上,BT形成一个单层,在CuO上形成一个结晶的Cu-thiolate多层.
- 多层BT有效地抑制ZnOALD近500个周期,超过其他类硫醇抑制剂.
- 已证明可以防止生长,并以纳米尺度的图案创建明确的垂直侧墙.
结论:
- BT是一种高度有效的选择性 ZnO ALD 的抑制剂.
- 在BT的可调的多层结构使精确的纳米图案与优秀的图案传输.
- 基于BT的抑制非常适合制造下一代纳米电子设备.


