在金属化物佩洛夫斯基特中增强电荷发射浅陷>100倍,通过表面应变
Ying Zhou1, Hengkai Zhang1, Yeming Xian2
1Department of Applied Physical Sciences, University of North Carolina at Chapel Hill, Chapel Hill, NC 27599, USA.
概括
金属化物矿 (MHPs) 中的浅陷丰富且位于表面. 调节表面应变增强浅陷密度,通过减少电压损失来提高太阳能电池性能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 固态物理 固态物理
- 太阳能光伏发电是如何实现的
背景情况:
- 低深陷缺陷密度对于高性能金属化物矿 (MHP) 是至关重要的.
- 建议在MHP中使用浅陷来延长电荷重组寿命,但其性质和影响尚不清楚.
- 了解浅陷是优化MHP光电子设备的关键.
研究的目的:
- 调查MHP中的浅陷的化学性质,分布和影响.
- 探索控制浅陷密度及其对太阳能电池运行影响的方法.
- 阐明表面应变在浅水陷形成中的作用和MHP设备性能.
主要方法:
- 通过将两个氨基末端分子固定在formamidinium离子上来诱导表面应变.
- 浅陷密度与表面应变和带边移动相关.
- 在增强浅陷密度的条件下,分析了太阳能电池性能.
主要成果:
- 浅陷在MHP中比传统半导体更为丰富.
- 由于局部表面应变,浅陷密度增加了100倍以上,这表明表面局部化.
- 表面应变导致带边向下移动,形成浅陷,并将开放电路的电压损失降至317mV.
结论:
- 浅陷是MHP中占主导地位的缺陷类型,主要位于表面.
- 表面应变是一种有效的方法,可以控制地增加浅陷密度.
- 高密度的浅陷可以通过减轻重组损失来提高太阳能电池的效率.
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