在激发性绝缘体Ta2NiSe5中超快速载体动态的压力依赖性

Vikas Arora1,2, D V S Muthu1, Arijit Sinha3

  • 1Department of Physics, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, India.

概括

研究人员在高压下研究了Ta2NiSe5的激发性绝缘体 (EI) 阶段. 他们观察到过渡到半导体和半金属阶段,压力降低带隙并增强电子-声波合.