Capacitor With A Dielectric
Dielectric Polarization in a Capacitor
Ferromagnetism
Integrator and Differentiator
Biasing of FET
MOS Capacitor
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Guangdi Feng1,2, Xiaoming Zhao1, Xiaoyue Huang1
1Key Laboratory of Polar Materials and Device, Ministry of Education, Shanghai Center of Brain-inspired Intelligent Materials and Devices, Department of Electronics, East China Normal University, Shanghai, China.
我们使用铁电域逆转开发了内存微分计算. 这种新的方法有效地直接在内存中提取差异,减少边缘计算应用的数据传输和能源使用.
科学领域:
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研究的目的:
主要方法:
主要成果:
结论: