:21R

Matej Fonović1, Jelena Zagorac, Maria Čebela

  • 1Faculty of Engineering, University of Rijeka, Rijeka, Croatia.

概括

研究人员预测一种新的21R聚类氧化 (ZnO),一种半导体材料,具有先进的电子和光学特性. 这一发现有助于对定制半导体应用的结构属性关系的理解.