-:2D-AsN

Yanfeng Zhang1,2, Guo Chen1,3, Chengfeng Zhang1,3

  • 1Institute of Solid State Physics, Hefei Institutes of Physical Science, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, P. R. China. jzhang@theory.issp.ac.cn.

概括

新的- (AsN) 化合物在使用第一原则计算的压力下被发现. 这些稳定,半导体材料对光电子应用和太阳能电池具有前景,并有可能被剥离成二维材料.