ECR,

Joy Mukherjee1, Safiul Alam Mollick2, Tanmoy Basu3

  • 1SUNAG Laboratory, Institute of Physics, HBNI, Sachivalaya Marg, Bhubaneswar - 751 005, India.

概括

这项研究优化了用于纳米结构的离子束生成,实现了增强的 (Ar) 离子电流,用于精确的表面修饰. 这些发现使使用低能离子束实现了具有可调节光学特性的先进纳米图案.