高性能FET和敏感气体传感器的集成使用Janus WSiGeP4用于痕迹有毒气体检测

Mi-Mi Dong1,2, Xiao-Xiao Fu2, Chuan-Kui Wang2

  • 1School of Physics, Shandong University, Jinan 250100, China.

概括

研究人员开发了一种用于集成场效应晶体管 (FET) 和气体传感器的Janus WSiGeP4单层. 这种二维材料可以在芯片上以高灵敏度检测有毒气体,如NO和NH3.