Biasing of Metal-Semiconductor Junctions
Superconductor
MOSFET: Enhancement Mode
Characteristics of MOSFET
Types Of Superconductors
Biasing of FET
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Nathan Lacroix1,2, Luca Hofele1,2, Ants Remm1
1ETH Zurich, Department of Physics, CH-8093 Zurich, Switzerland.
本研究介绍了一种资源高效的单元,以减少量子计算机中的量子位泄漏错误. 这一突破对于推进量子错误校正和实现容错量子计算至关重要.
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