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Updated: May 14, 2025

Low-energy Cathodoluminescence for OxyNitride Phosphors
Published on: November 15, 2016
阿尔法/玛辐射化的热发光特性
Rodrigo Martinez-Baltezar1, E F Huerta1, U Caldiño1
1Departamento de Física, Universidad Autónoma Metropolitana-Iztapalapa, Ciudad de México, México.
合成的化 (AlN) 与杂质显示了热发光 (TL) 应用的潜力. 无意的杂质会影响缺陷的形成,发光和TL特性,特别是在辐射剂量测量中.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 固态物理 固态物理
- 发光和光谱学 发光和光谱学
背景情况:
- 化 (AlN) 是一种宽带差半导体,在光电子和传感器中具有潜在的应用.
- 了解AlN中无意杂质的作用对于定制其物理和光学特性至关重要.
- 在AlN中的缺陷工程可以导致新的功能,包括用于辐射检测的热发光 (TL).
研究的目的:
- 为了合成和表征化 (AlN),添加了无意的杂质.
- 为了研究合成的AlN的光发光 (PL) 和热发光 (TL) 特性.
- 为了将观察到的发光和TL特征与杂质引起的特定缺陷结构相关联.
主要方法:
- 通过NH4Cl(s) 辅助的蒸汽相反应合成AlN.
- 使用X射线衍射 (XRD) 和能量分散光谱 (EDS) 的结构和组成分析.
- 通过富里埃变换红外 (FTIR),拉曼,光发光 (PL) 和热发光 (TL) 光谱学进行光学表征.
主要成果:
- 六角土石AlN的合成成功,EDS证实Al,N,C,O,Si和Fe的存在.
- PL光谱显示了与复杂缺陷相关的激发峰值 (例如,CNSiAl,VAl3ON,CNVN) 和405nm的发射峰值,归因于VAl2ON缺陷.
- TL发光曲线在460,525和600 K处呈现峰值,激活能与SiAl缺陷相关. 在特定的剂量范围 (12.6-136 Gy) 中,TL反应呈现线性.
结论:
- 合成的AlN材料表现出有前途的热发光特性,具有辐射剂量测量应用的潜力.
- 不故意的杂质 (C,O,Si,Fe) 在形成控制AlN的发光和TL行为的缺陷中起着重要作用.
- 对受控杂质兴奋剂的进一步研究可以优化AlN用于基于TL的先进传感技术.
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