Photoelectric Effect
Switching of BJT
Biasing of P-N Junction
The Ideal Diode
Schottky Barrier Diode
Joule-Thomson Effect
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氧化 (Nb2O5) 在小型化可见光设备方面表现有前途. 本研究详细介绍了其在波导和热光开关中的使用情况,实现了6.5dB的灭比和77μs的响应时间.
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