MoS2

Yoojoong Han1, Moonsang Lee2,3, Seok Joon Yun4

  • 1School of Integrative Engineering, Chung-Ang University, 84, Heukseok-ro, Dongjak-gu, Seoul, 06974, Republic of Korea.

概括

这项研究引入了超光谱相位显微镜,用于精确,非破坏性地绘制半导体材料的折射率. 该方法有效地可视化了高精度的二硫化物 (MoS2) 压力诱导的变化.

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