VO22

Elliot Kisiel1,2, Pavel Salev3, Ishwor Poudyal2,4

  • 1Physics Department, University of California San Diego, La Jolla, California 92093, United States.

ACS nano
|April 14, 2025
PubMed
概括

了解二氧化瓦纳 (VO2) 丝的形成是有效的神经形态计算的关键. 暗场X射线显微镜揭示了VO2设备中的结构细节和内存机制,使得更好的memristor设计成为可能.