高稳定,晶体的InGaO薄膜晶体管由7%的兰合并
Jinbaek Bae1, Kiwan Ahn1, Myeonggi Jeong1
1Advanced Display Research Center (ADRC), Department of Information Display, Kyung Hee University, 26, Kyungheedae-ro, Dongdaemun-gu, Seoul 02447, South Korea.
ACS applied materials & interfaces
|April 14, 2025
概括
在氧化物 (InGaO) 中加入兰 (La) 可以提高金属氧化物半导体薄膜晶体管 (TFT) 的稳定性和性能. 优化7%的LaInGaO TFT显示了更好的偏差温度和光稳定性,适用于大面积的电子设备.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 电子工程 电子工程
- 半导体物理 半导体物理
背景情况:
- 高流动性金属氧化物半导体 (MOS) 薄膜晶体管 (TFT) 对现代电子非常重要.
- 在MOS中增加 (In) 度会增强机动性,但会导致耗尽模式和不稳定.
- 开发稳定,高性能的MOS TFTs需要解决高In内容的权衡问题.
研究的目的:
- 为了研究 (La) 合并对氧化物 (InGaO) 薄膜的特性的影响.
- 优化LaInGaO TFT,以提高设备的性能和稳定性.
- 评估LaInGaO TFT在大面积,经济高效的电子应用中的潜力.
主要方法:
- 在375°C的基质温度下喷雾热解InGaO薄膜的沉积.
- 将不同的La比率 (320%) 纳入InGaO矩阵.
- 配平面LaInGaO TFT的制造和表征,包括电性能和稳定性测试.
主要成果:
- 这种结合增加了质量密度和光学带隙,同时降低了晶度.
- 优化7%的LaInGaO TFT实现了0.01V的门电压和30.63cm2/V·s的移动性.
- 在7%的LaInGaO TFT与原始的InGaO TFT相比,观察到增强的偏差温度和光稳定性.
- 使用7%的LaInGaO TFTs的门驱动电路显示快速切换时间 (437.3 ns上升,557.9 ns下降).
结论:
- 添加兰有效地提高了基于InGaO的TFT的稳定性和性能.
- 优化7%的LaInGaO成分为可靠,高性能TFT提供了一个有前途的途径.
- 喷雾热解LaInGaO TFT适用于经济高效的大面积电子应用.
