大量Bi-Sb多晶体以高电子/声子平均自由路径比为基础,可在77K以下进行热电冷却

Xiaowei Wu1,2, Zhen Fan1, Hangtian Zhu1

  • 1Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China.

Nature communications
|April 14, 2025
PubMed
概括

这项研究揭示了双 bismuth-antimony (Bi-Sb) 合金中的电子 - 声子解,使大粒度材料的合成成为可能. 这一突破促进了高超的冷热电性能和低于液温度的新型冷却模块.

相关概念视频