基于高性能GaN的绿色共振腔发光二极管,具有Ag底镜

科学领域:

• 光电学是指光电子产品.
• 材料科学 材料科学 材料科学

背景情况:

• 绿色共振腔发光二极管 (RCLED) 对于光通信和显示器至关重要.
• 标准发光二极管 (LED) 通常面临光输出功率 (LOP) 的限制.

研究的目的:

• 制造和表征高性能基于GaN的绿色RCLED,具有增强的光输出功率.
• 为了研究银 (Ag) 金属镜子和介电分布式布拉格反射器 (DBR) 对RCLED性能的影响.

主要方法:

• 制造大型芯片大小 (900 × 900 μm2) 的基于GaN的绿色RCLED.
• 使用银 (Ag) 金属镜作为底部反射器和介电分布式布拉格反射器 (DBR) 作为顶部反射器.
• 采用了对n侧电极的阵列配置,以实现均的电流注入.

主要成果:

• 由于空洞效应,获得了小的光谱线宽 (3.0 nm) 和分歧角度 (95°).
• 在20mA时显示的开启电压为2.3V.
• 在电流密度为197 A/cm2的情况下,获得了180 mW的记录光输出功率 (LOP).
• Ag底面镜子改善了空洞效果,散热和电注射.

结论:

• 与标准LED相比,制造的绿色RCLED显示出更高的性能.
• Ag底镜,DBR和阵列电极配置的组合显著提高了LOP.
• 这些发现代表了用于先进应用的绿色RCLED技术的突破.