基于Te/CuInP2S6铁电场效应晶体管的宽带光响应
YaJie Bai1, Dongliang Shan2, Huixian Li1
1Information Materials and Intelligent Sensing Laboratory of Anhui Province, Key Laboratory of Structure and Functional Regulation of Hybrid Materials of Ministry of Education, Institutes of Physical Science and Information Technology, Anhui University, 111 Jiu Long Road, Hefei 230601, China. longms@ahu.edu.cn.
Nanoscale
|April 24, 2025
概括
研究人员开发了用于先进光探测器的 (Te) 铁电场效应晶体管 (Fe-FET). 这些设备展示了超宽带光响应和快速的速度,为高性能光电子应用铺平了道路.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 窄带隙二维 (2D) 半导体对于下一代光电子非常重要.
- 有限的研究存在于操纵电子极化在光电探测器.
研究的目的:
- 设计和研究用于光探测器应用的 (Te) 铁电场效应晶体管 (Fe-FET).
- 探索这些新型设备的光响应特性.
主要方法:
- 制造基于Te的铁电场效应晶体管 (Fe-FET).
- 设备性能的表征,包括转移曲线和光响应.
- 测量光响应性,光谱范围和响应时间.
主要成果:
- 在传输特征中,Te Fe-FETs表现出明显的反时钟方向的歇斯底里循环.
- 实现了超宽带光响应,范围从637nm到10.6μm.
- 记录了高光响应度 (10.2 A W-1) 和快速响应时间 (升高时间3.86 μs,衰减时间6.28 μs).
结论:
- 开发的Te Fe-FET显示出高性能光电探测器应用的巨大潜力.
- 这项工作通过整合铁电极化来设计先进的光电子设备的可行策略.


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