处理参数对Ti-Schottky接触对4H-SiC的影响

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 半导体物理 半导体物理
• 电气工程 电气工程

背景情况:

• 在4H-碳化物 (4H-SiC) 上的 (Ti) 形成了对于动力设备至关重要的Schottky接触.
• 了解处理参数对Ti/4H-SiC接触特性的影响对于设备优化至关重要.

研究的目的:

• 研究沉积方法,回火温度和Ti金属厚度对Ti/4H-SiC接触电气特性的影响.
• 为了阐明当前的传输机制和Schottky屏障特性,用于定制的设备开发.

主要方法:

• 制造具有不同厚度Ti (10-80 nm) 的Ti/4H-SiC接触器.
• 在475°C至700°C的温度下进行回火处理.
• 在前向和反向偏差下进行电气表征,以确定当前传输机制 (热电辐射和热电场辐射).

主要成果:

• 对于80nm的Ti/4H-SiC,Schottky屏障高度的回火温度从1.19 eV降低到1.00 eV.
• 当前运输遵循前向偏差下的热电场辐射 (TE) 和反向偏差下的热电场辐射 (TFE).
• Ti 厚度的减少和界面反应 (Ti-Al 区域) 降低了 Schottky 屏障的高度.

结论:

• 处理参数,特别是火温度和Ti厚度,极大地影响Ti/4H-SiC Schottky接触性能.
• 该研究提供了对Schottky屏障高度调节和当前运输机制的见解.
• 这些发现对于设计具有特定电气特性的Schottky屏障二极管具有价值.