高质量的GaP(111) 由气源 MBE 生长,用于光子晶体和先进的非线性光学应用
Karine Hestroffer1, Kelley Rivoire2, Jelena Vučković2
1Department of Physics, Humboldt-Universität zu Berlin, Newtonstraße 15, 12489 Berlin, Germany.
Nanomaterials (Basel, Switzerland)
|April 25, 2025
概括
化 (GaP) 薄膜为光子晶体生长. 高质量的GaP(111) 光子晶体腔体显示出质量系数为1200,使先进的光子装置成为可能.
科学领域:
- 半导体物理 半导体物理
- 材料科学是一种材料科学.
- 光子学 是一个光子学.
背景情况:
- 精确制造半导体光子晶体对于先进的光子设备至关重要.
- 化 (GaP) 具有高折射率,宽光带间隙和光异性,使其适合光子应用.
- 的近格子匹配与基板有助于与基于的技术的整合.
研究的目的:
- 为了呈现高质量的化 (GaP) 的生长,111) 薄膜.
- 为了证明GaP的制造{111}光子晶体腔.
- 突出GaP的潜力,用于先进的光子应用.
主要方法:
- 气体源分子束表 (GSMBE) 对于GaP{111) 薄膜生长.
- 为了实现原子光滑的露台,homo-epitaxy.
- 使用AlGaP(111) 作为牺牲层制造光子晶体腔.
主要成果:
- 实现高质量的GaP(111) 薄膜与原子光滑的露台.
- 制造的GaP(111) 光子晶体腔.
- 获得了 1200 的质量因子,用于腔模式,共振在 1500 nm 左右.
结论:
- GaP ((111) 是用于先进光子架构的有希望的材料.
- 展示的GaP(111) 光子晶体腔显示出强光束的潜力.
- 这项工作支持非线性光学应用,包括二次和总频率生成.
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