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Wei Yu1, Faxing Che1, Vance Liu2

  • 1Micron Semiconductor Asia Operations Pte. Ltd., 990, Bendemeer Road, Singapore 339942, Singapore.

Micromachines
|April 26, 2025
PubMed
概括

这项研究分析了内存包中的铜痕迹裂,识别了故障模式和传播路径. 增强接电阻 (SR) 通过减少温度循环测试 (TCT) 期间的应力和应变,显著提高了可靠性.