基于超薄的MoSi的极紫外线的组成依赖性质

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 纳米技术 纳米技术
• 半导体制造业 半导体制造业

背景情况:

• 极端紫外线光刻 (EUVL) 对于纳米级半导体制造至关重要.
• 皮膜保护光罩免受EUVL污染,但实现高光传导率,热稳定性和机械稳定性是一项挑战.
• 现有的研究往往集中在单一的MoSi成分上,限制了优化潜力.

研究的目的:

• 系统地研究MoSi薄膜中不同Mo-Si比率对EUV薄膜性能的影响.
• 建立机械性能,光学传导率,热稳定性和制造产量之间的定量联系.
• 提供针对特定EUVL要求优化EUV膜设计的指导方针.

主要方法:

• 使用可控制的Mo-Si比率 (x=1.6-3.4) 的多层MoSi薄膜制造EUV片.
• 机械性能 (拉伸强度),光学传导率和热性能的表征.
• 分析与材料组成和特性相关的制造产量.

主要成果:

• 增加的Mo含量增强了机械和热性能,但降低了光学传导率.
• MoSi2 (x=2) 显示了最高的抗拉强度和>90%的制造产量.
• MoSi3.4 (x=3.4) 显示出优越的光学性能,而MoSi2.3 (x=2.3) 显示出更好的热性能.
• 没有一个单一的MoSi组合同时优化了所有关键性质,突出了固有的权衡.

结论:

• 材料成分显著影响EUV薄膜的性能,需要基于权衡的选择方法.
• 本研究为优化基于特定应用需求的EUV膜设计提供了定量框架.
• 优化的薄膜设计可以提高晶片吞吐量,设备利用率,并降低高容量EUVL的运营成本.