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Updated: May 21, 2025

Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices
Published on: November 15, 2013
Yuhao Zhao1, Maëlle Kapfer2, Megan Eisele2
1Institute for Theoretical Physics, ETH Zurich, Zurich 8093, Switzerland.
石墨烯上的金属接触会产生局部的n-doped腔,影响电子运输,并揭示拓边缘状态. 这一发现对于推进石墨烯纳米电子设备至关重要.
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