对于近红外辐射,W-Doped Cs2SnCl6用于近红外辐射
Barnali Mondal1, Sakshi Mehta2, Abhishake Mondal2
1Department of Chemistry, Indian Institute of Science Education and Research (IISER), Pune 411008, India.
The journal of physical chemistry letters
|May 10, 2025
概括
将 (W) 添加到零维 (0D) 矿中,如Cs2SnCl6,通过防止度火,增强近红外 (NIR) 辐射. 这种W-doped材料显示了NIR应用的潜力.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 固态化学 固态化学
- 光物理学的光学物理学
背景情况:
- 零维 (0D) 矿衍生物,如Cs2WCl6和Cs2WOCl6 ,由于 (W) 的d-d电子转换,呈现近红外 (NIR) 辐射.
- 由发射离子的近距离引起的度火限制了这些材料中的光发光效率.
研究的目的:
- 为了克服NIR发射0D矿中的度火.
- 为了研究成Cs2SnCl6的兴奋的潜力,作为高效的NIR光体的战略.
主要方法:
- 通过将少量W入Cs2SnCl6 0D矿网格中来稀释排放中心.
- 化Cs2SnCl6材料的特性及其光发光特性.
- 使用W-doped材料制造和测试NIR光转换发光二极管 (LED).
主要成果:
- 剂中心被确定为Cs2SnCl6宿主网中的[WOCl5]2-离子替代[SnCl6]2-八面体.
- 与Cs2WOCl6-.相比,最佳的3.3%W-doped Cs2SnCl6在965nm时显示出超过52倍的NIR发射强度,比Cs2WOCl6-.
- 抑制度火导致温度依赖光发光显著改变 (7300 K).
- 经过NIR光转换的LED,其输出功率为10.3mW,在400mA时被证明是有效的.
结论:
- 在0D Cs2SnCl6中使用W-doping是一种有效的策略,可以抑制度火并增强NIR发射.
- 这项研究报告了在0D矿中首次出现W兴奋剂的实例,突出了它们作为高效的NIR光体的潜力.
- 开发的W-doped Cs2SnCl6材料显示出对NIR光电子应用的前景.
