Field Effect Transistor
MOSFET: Enhancement Mode
Biasing of FET
MOSFET
Characteristics of MOSFET
Bipolar Junction Transistor
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Mohamed Soliman1, Cédric Marchand2, Aymen Mahmoudi3
1Université de Strasbourg, IPCMS-CNRS UMR 7504, 23 Rue du Loess, Strasbourg 67034, France.
这项研究介绍了一种用于先进电子的新型范德瓦尔斯装置. 它可以实现高效的逻辑和内存操作,为下一代人工智能硬件铺平了道路.
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