在S-ICD插入期间进行的非侵入性阻抗分析为基于除的测试延迟提供了理由

科学领域:

• 心脏病学 心脏病学
• 生物医学工程 生物医学工程
• 医疗器械 医疗器械

背景情况:

• 皮下植入式心脏转换器-除器 (S-ICD) 插入通常包括除门测试 (DFT).
• 由于临床问题和可靠的非侵入性预测指标,静脉输入性ICD (T-ICD) 系统不经常接受DFT.
• 关于S-ICD患者的低电压 (LV) 阻抗趋势及其与高电压 (HV) 阻抗关系的数据有限.

研究的目的:

• 描述从S-ICD连接 (T0) 到最终的程序内测量 (T4) 的LV阻抗趋势.
• 在DFT或10J测试期间,将LV阻抗与HV阻抗进行比较.

主要方法:

• 从2022年7月到2024年3月的S-ICD植入数据的分析.
• 在植入过程中收集LV阻抗和在测试过程中收集HV阻抗 (65J DFT或10J).
• 用于评估不同时间点的阻抗差异的配对t测试.

主要成果:

• 在53名患者中,LV阻抗从T0到T4下降了18.3% (p <0.001).
• 在35名接受测试的患者中,T4的LV阻抗与HV阻抗没有显著差异 (p = 0.116).

结论:

• 在S-ICD植入后,LV阻抗可预见地下降.
• 在植入后60分钟测量的LV阻抗 (T4) 可靠地接近HV阻抗.
• 需要进一步评估LV阻抗如何影响DFT决策.