Mn2 2Se5

Ivan V Chernoukhov1, Anton D Pyreu1, Andrey N Azarevich2

  • 1Department of Chemistry, Lomonosov Moscow State University, 119991 Moscow, Russia.

概括

研究人员合成了一种新的多层印化 (Mn2In2Se5) 多态. 这种材料在6.3K时表现出反铁磁过渡,这表明它对自旋电子应用具有强烈的磁性挫折.