在纳米TSV中沉积Ru的原子层沉积,覆盖率高,电阻低
Zhao Chen1,2, Feifeng Huang1,2, Biao Wang1,2
1College of Mechanical and Vehicle Engineering, Hunan University Changsha 410082 People's Republic of China fengbo36@hnu.edu.cn.
Nanoscale advances
|May 16, 2025
概括
(Ru) 显示出作为下一代互连材料的前景,性能优于铜. 原子层沉积产生了高质量的Ru薄膜,适用于先进的集成电路.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 电气工程 电气工程
背景情况:
- 摩尔定律的进步导致了金属线宽的减少.
- 由于尺寸缩小,铜 (Cu) 互连面临限制.
- 在先进的集成电路 (IC) 中需要替代材料.
研究的目的:
- 探索 (Ru) 作为下一代优质互连材料.
- 通过原子层沉积 (ALD) 研究Ru膜的制造.
- 评估Ru在先进IC中替代Cu的适用性.
主要方法:
- 使用原子层沉积 (ALD) 制造 (Ru) 薄膜.
- 使用的金属有机前体bis (乙烯基环) (Ru (EtCp) 2) 和氧.
- 标志着Ru膜的电阻性和粗性.
主要成果:
- 实现了Ru薄膜电阻15μΩ厘米,粗度为0.8nm.
- 证明了出色的步骤覆盖和填充30纳米纳米TSV阵列.
- 在纳米-TSV阵列中获得了大约15的比例 (AR).
结论:
- 卢的ALD过程对下一代互连非常有希望.
- 在先进的集成电路中, (Ru) 可以有效地取代铜 (Cu).
- 开发的方法可以制造高面积比率的Ru互连.
