通过使用自旋共振和磁性测量,研究V-doped SnTe中的近距离合磁性异质性

科学领域:

• 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
• 材料科学 材料科学 材料科学
• 量子现象是一种量子现象.

背景情况:

• 锡化物 (SnTe) 是一种拓晶体绝缘体,其拓表面状态 (TSSs) 被晶体对称性保护.
• 这些对称性导致弱反局部化 (WAL),电导率的正量子校正,以及磁场下的负磁导 (MC).
• 在SnTe中 (Sn) 空缺的高度有助于显著的散装导电性.

研究的目的:

• 为了研究 (V) 兴奋剂对SnTe.在WAL信号的影响.
• 探索V诱导的绑定磁极子 (BMP) 和磁性异质的作用.
• 了解旋转轨道合 (SOC),BMP和V-doped SnTe中的磁相互作用的相互作用.

主要方法:

• 电子自旋共振 (ESR) 测量用于研究V-doped SnTe.
• 在不同温度下进行直流磁化测量.
• 密度函数理论 (DFT) 的计算.密度函数理论 (DFT) 的计算.

主要成果:

• 维-兴奋剂通过形成BMP,增加有效质量和减少散装导电性来增强SnTe中的WAL信号.
• 由SOC引起的旋转倾斜和BMP导致由流动载体介导的竞争性铁磁和反铁磁相互作用.
• 在ESR和磁化数据显示内部磁场,支持近距离合的磁顺序.

结论:

• 由于BMP形成和磁性异质性,V-doped SnTe表现出增强的WAL.
• 该材料显示复杂的磁相互作用,包括鲁德曼-基特尔-卡苏亚-约西达 (RKKY) 相互作用.
• 靠近合的磁性异性质定位了V-合的SnTe作为催化,热电和自旋电子应用的有希望的材料.