用于光子集成电路的无 lithography 化物帆布
Zhen Hu1, Yuru Li2, Ruifeng Zhong1
1School of Electronics and Information Technology & Guangdong Provincial Key Laboratory of Optoelectronic Information Processing Chips and Systems & Southern Marine Science and Engineering Guangdong Laboratory (Zhuhai), Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510006, China.
ACS nano
|May 21, 2025
概括
研究人员开发了一种不需要 lithography 的方法,用于制造 chalcogenide 光子装置. 这种方法使用激光诱导的硫化 (Sb2S3) 薄膜的氧化,使多功能设备的创建和先进的光学功能.
科学领域:
- 光子学和材料科学 材料科学
- 光电子和纳米技术
背景情况:
- 基集成光子设备提供宽带透明度,但面临着基于的CMOS工艺的制造挑战.
- 目前的方法限制了 chalcogenide 光子装置的开发和多功能性.
研究的目的:
- 为了呈现一种灵活的,不需要 lithography 的制造方法,用于 chalcogenide 光子装置.
- 为了证明石化薄膜作为高级光子应用的多功能平台的潜力.
主要方法:
- 利用石灰材料的内在氧化易感性.
- 使用连续激光诱导的局部氧化对硫化 (Sb2S3) 薄膜.
- 在近红外光谱中实现高折射率调制 (>0.7) 和空间分辨率 (~0.6μm).
主要成果:
- 证明了Sb2S3.3.的低值激光诱导的局部氧化.
- 制造的动态平面弗雷内尔区域板,具有可调节的光束聚焦功能.
- 通过使用石灰化物超表面阵列实现了高精度的空间光谱重建.
结论:
- 基化物薄膜可以作为先进的光子设备的有希望的画布.
- 开发的制造途径简化,多功能,并显著推进了素化物集成光子学.
