牺牲层概念接口工程,用于稳固的,无损的单立体集成矿/Si双联太阳能电池,产生0.813的高填充系数

Yoon Hee Jang1, Youngseok Lee2,3, Hyeon Sik Seo2

  • 1Advanced Photovoltaics Research Center, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Seoul, 02792, Republic of Korea.

Nano convergence
|May 27, 2025
PubMed
概括

研究人员开发了一种使用聚乙烯二氧化:聚乙烯硫酸盐 (PEDOT:PSS) 牺牲层的接口工程方法,以改进矿/并联太阳能电池. 这提高了再组合接口的功能,从而提高了功率转换效率.