Understanding Memory
System of Memory
Non-ohmic Devices
Mnemonic Devices
MOS Capacitor
Long-Term Memory
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通过共同作者、期刊和引用图与本文相关的文章。
Ke Gu1, Prajwal Rigvedi1, Peng Wang1
1Max Planck Institute for Microstructure Physics, 06120, Halle, Germany.
没有缓冲层的独立赛道膜可以为自旋电子设备提供高效的域壁运动. 这种技术允许本地工程和灵活,可靠的赛道内存应用.
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