在表轴Y2O3的MHz下同质线宽:在上的Eu3+薄膜

Diana Serrano1, Nao Harada1, Romain Bachelet2

  • 1Chimie ParisTech, PSL University, CNRS, Institut de Recherche de Chimie Paris, F-75005 Paris, France.

概括

研究人员开发了一种新的薄膜制造方法,用于上用欧合剂氧化物. 这一突破使得具有低于兆赫的光线宽度的高度连贯的量子设备成为可能.