在表轴Y2O3的MHz下同质线宽:在上的Eu3+薄膜
Diana Serrano1, Nao Harada1, Romain Bachelet2
1Chimie ParisTech, PSL University, CNRS, Institut de Recherche de Chimie Paris, F-75005 Paris, France.
Nanophotonics (Berlin, Germany)
|June 5, 2025
概括
研究人员开发了一种新的薄膜制造方法,用于上用欧合剂氧化物. 这一突破使得具有低于兆赫的光线宽度的高度连贯的量子设备成为可能.
科学领域:
- 量子光学就是一个量子光学.
- 材料科学是一种材料科学.
- 纳米技术 纳米技术
背景情况:
- 薄膜为量子设备提供纳米级的限制.
- 用欧欧添加的氧化物是量子应用的一个有前途的材料.
研究的目的:
- 开发一种新的薄膜制造方法,用于上Y2O3杂的Eu3+的表生长.
- 为了实现基于稀土离子的量子设备的改进光学性能.
主要方法:
- 结合化学蒸汽沉积 (CVD) 和分子束表 (MBE) 的表生长.
- 在基板上制造用欧添加氧化的薄膜.
主要成果:
- 对于高达8K的Eu3+ dopants,实现了亚兆赫的光学同质线宽.
- 记录了270 kHz的最低线宽,比之前的研究提高了十倍.
- 证明了与光子和微波架构的兼容性,用于芯片规模集成.
结论:
- 开发的薄膜制造方法显著提高了欧3+中合Y2O3的光学连贯性.
- 这一进步为使用稀土离子的可扩展和紧的量子设备铺平了道路.


