用PECVD培养的化薄膜中的单光子发射器:从材料生长到光物理性质

科学领域:

• 量子光子学 量子光子学
• 材料科学 材料科学 材料科学
• 光电学是指光电子产品.

背景情况:

• 化 (SiN) 对于量子光子学至关重要,因为它的光学特性和与半导体制造的兼容性.
• 之前的研究已经探索了SiN用于量子应用,但优化单光子发射器形成需要进一步调查.

研究的目的:

• 研究SiN薄膜中单光子发射器的形成和光物理性质.
• 了解发射器特性对等离子体增强化学蒸汽沉积 (PECVD) 增长条件的依赖.
• 评估使用SiN可扩展制造量子光子设备的潜力.

主要方法:

• 使用等离子增强化学蒸汽沉积 (PECVD) 的SiN薄膜的生长,与前体比率各不相同.
• 由此产生的单光子发射器的光物理性质的表征.
• 与薄膜组成和沉积参数相关的发射器性能分析.

主要成果:

• 在广泛的SiN组合中观察到单光子发射器,从富到富.
• 在具有更高折射率 (1.8-1.9) 的SiN薄膜中展示了发射剂.
• 富含的,较薄的薄膜产生了更明亮的发射器,寿命更短,这表明化得到了改善.
• 富含的片显示红移排放,这表明基于组合的波长调节.

结论:

• 在标准造PECVD工具中建立了单光子发射器的可行形成.
• 这些发现支持基于SiN的量子光子技术的可扩展性和实验室到工厂的过渡.
• 组合控制为调整发射器波长在SiN中的途径提供了一个途径.