达到优异的表面被动化与J_0,s小于0.5fA cm^-2利用一个碳集成的内在的多基道氧化物被动化接触结构

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 太阳能光伏发电是如何实现的
• 半导体物理 半导体物理

背景情况:

• 晶体太阳能电池是领先的光伏技术.
• 转换效率在很大程度上依赖于有效的表面被动化.
• 道氧化物被动接触器 (TOPCon) 对于高性能太阳能电池至关重要.

研究的目的:

• 为晶太阳能电池开发一个先进的被动化层.
• 为了研究碳合并在多被动化层中的作用.
• 为了提高道氧化物被动接触 (TOPCon) 太阳能电池的性能.

主要方法:

• 使用等离子增强化学蒸汽沉积 (PECVD) 创建了碳纳入的内在多层.
• 形成了一个与氧化结合的道氧化物被动接触 (TOPCon) 结构.
• 隐式开放电路电压 (iVoc) 和再组合电流密度是在n型寿命晶圆上测量的.

主要成果:

• 达到了一个暗示的开放电路电压 (iVoc) 高达754mV.
• 在n型晶片中,重组电流密度低至大约0.3fA/cm2.
• 证明了10mV iVoc的改善和预测的0.2%的绝对效率提高在后连接TOPCon电池.

结论:

• 在多层中加入碳可以通过提高界面完整性和减少缺陷,显著提高表面被动性.
• 开发的被动化技术有效地减少了表面和散装重组.
• 这项技术显示出在各种TOPCon太阳能电池架构和其他高被动要求的场景中应用的巨大潜力.