制备高纯度碳化陶,通过热压烧结
Chang Zou1,2, Yifan Xiao1, Lixia Li3
1State Key Laboratory of Silicon and Advanced Semiconductor Materials, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310058, China.
Nanomaterials (Basel, Switzerland)
|June 11, 2025
概括
为半导体晶圆载体开发了高强度,高纯度的碳化 (SiC) 陶. 这种先进的材料满足了半导体制造业严格的纯度和机械要求.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 陶工程 陶工程
背景情况:
- 晶圆载体是半导体制造中的关键组件.
- 这些组件需要非常高的纯度水平.
研究的目的:
- 为了制造高强度和高纯度的SiC陶.
- 评估它们作为晶圆载体材料的潜力.
主要方法:
- 使用热压烧结 (HPS) 与颗粒分级相结合.
- 包含15%重量的纳米SiC,具有优化的烧结参数 (2200°C,40MPa).
主要成果:
- 获得了99.967%纯度的SiC陶.
- 证明了出色的机械性能:458.71 MPa的屈曲强度,23.31 GPa的维克尔硬度和4.06 MPa·m1/2的断裂性.
结论:
- 开发的SiC陶具有卓越的强度和纯度.
- 这些SiC陶适合于半导体制造中的要求很高的晶圆载体应用.
