通过金属化物诱导的粘附,为X射线源提供高级碳纳米管场辐射
Sayed Zafar Abbas1, Jaehwi Lee1, Syed Muhammad Zain Mehdi1
1Department of Nanotechnology and Advanced Materials Engineering, Hybrid Materials Centre (HMC), Sejong University, Seoul, 05006, Republic of Korea.
Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)
|June 13, 2025
概括
使用Ni和Si填充剂改善碳纳米管场发射器 (CNT FEs) 在Kovar基板上的附着性,可显著提高真空电子应用的场发射性能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 电子真空电子 电子真空
背景情况:
- 碳纳米管场发射器 (CNT FE) 对于真空电子,如X射线管,至关重要.
- CNT的粘合性较差限制了它们的场辐射电流密度.
研究的目的:
- 研究Ni,Si和Al2O3填充剂对CNT FE对Kovar的粘附的影响.
- 提高CNT FE粘附性和现场排放性能.
主要方法:
- 将Ni,Si和Al2O3填充剂加入到CNT糊中.
- 在Kovar基板上使用高温真空回火CNT FE.
- 磁带激活和现场排放测试.
主要成果:
- 和填充剂通过与Kovar.的化学反应促进了微米大小颗粒的形成.
- 填充剂是和基板上的粒子形成的关键.
- 形成Ni2Si和Fe2NiSi化合物显著改善了粘附性.
- 与单个填充剂相比,组合的Ni和Si填充剂产生了更好的粘附性.
- 达到30.9 A cm-2的电流密度和14小时稳定的发射.
结论:
- 和填充剂有效地增强CNT FE对Kovar基板的粘附性.
- 改进的粘附性导致了优越的场辐射性能.
- 具有优化填充器的CNT FE显示了真空电子的商业潜力.
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