由碳纳米管驱动的微型LED微型显示器 活性矩阵背景图

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 电气工程 电气工程
• 显示技术 显示技术

背景情况:

• 微发光二极管 (μLED) 显示器承诺在平面显示器 (FPD) 技术中取得革命性的进步,提供卓越的亮度,对比度,效率和分辨率.
• 高像素每英寸 (PPI) 的μLED微显示器需要先进的薄膜晶体管 (TFT) 背景图,但当前的解决方案如CMOS,LTPS和金属氧化物在可扩展性,性能和透明度方面存在局限性.
• 二维过渡金属二甲基化物 (TMDs) 显示出潜力,但由于复杂的集成和可扩展性问题而受到阻碍,仅限于半活性矩阵演示.

研究的目的:

• 开发和演示一个优化的碳纳米管 (CNT) 薄膜晶体管 (TFT) 后板为主动矩阵 (AM) μLED微显示器.
• 为了克服高PPI μLED应用现有的后台技术的局限性.
• 建立CNT TFT作为下一代μLED微显示器的可行和可扩展的解决方案.

主要方法:

• 使用 Al2O3 / SiO2 门介电堆和 Y2O3 / SiO2 / 聚胺被动化层制造优化的 CNT TFT.
• 在不同的通道长度 (Lch) 上,包括驱动电流和移动性在内的CNT TFT性能的表征.
• 开发一种使用翻转芯片优质结合的异质集成过程,用于将μLED阵列组装到CNT TFT背景图上.
• 基于 CNT TFT 的 2T1C 像素电路和支持 PAM 和 PWM 调制的外围控制电路的设计.

主要成果:

• 使用Lch = 3μm的优化CNT TFT实现了~10μA/μm的驱动电流和~27cm2/V·s的移动性.
• 将Lch缩放到0.5μm显著提高了性能,产生了约80μA/μm的驱动电流和约40cm2/V·s的可移动性,超过了AM显示器之前的CNT TFT.
• 不同质的整合过程实现了在CNT TFT背景图上 μLED阵列组装的~100%的收益率.
• 一个32 × 32像素的AM-μLED原型微显示器357 PPI的成功演示,能够动态图像和视频显示.

结论:

• 开发的 CNT TFT 提供了高 PPI AM-μLED 微显示器所必需的强大的驱动能力,可实现高达 3400 PPI 的分辨率.
• 不同质的集成方法确保了μLED的可靠组装到CNT TFT背景图上.
• CNT TFTs为先进的μLED微显示器提供了一个有希望的,可扩展的解决方案,为下一代AR/VR设备铺平了道路.