概括
激光偏振显著影响4H-SiC晶圆切片. 亚齐图斯和辐射极化可以最大限度地减少纵向损伤和分层应力,提高材料加工效率.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 激光物理 激光物理
- 半导体加工 半导体加工
背景情况:
- 激光切片对于半导体晶片制造至关重要.
- 了解激光物质相互作用,特别是极化效应,是优化流程的关键.
- 碳化 (SiC) 晶片在激光加工中存在独特的挑战,因为它们的材料特性.
研究的目的:
- 为了研究落体光极化对4H-SiC晶片激光切片的影响.
- 分析由此产生的纵向损伤结构及其对激光参数和偏振的依赖.
- 评估不同极化状态在控制修改宽度和裂传播方面的有效性.
主要方法:
- 在激光修饰后对纵向损伤结构的实验测量和分析.
- 系统研究激光脉冲能量对损伤的影响.
- 在各种线性,圆形,极和辐射极化状态下的损伤的比较.
- 建立一个向量衍射模型来模拟光束传播和聚焦特征.
主要成果:
- 与扫描方向垂直的线性偏振显示出比其他线性或圆形偏振更高的修改效率.
- 阿齐木斯和辐射偏光束显著减少了纵向损伤长度和分层应力.
- 与垂直线性偏振相比,亚齐木斯极振减少了49.3%的损伤长度和47.0%的分层应力.
- 辐射极化减少了39.4%的损伤长度和53.8%的分层应力.
结论:
- 激光偏振是优化4H-SiC激光切片的关键参数.
- 亚齐图斯和辐射极化状态提供了对损坏和分层的优越控制,提高了加工质量.
- 这些发现为半导体制造中的先进激光处理技术提供了宝贵的见解.
